1. Основные положения квантовых приборов. Взаимодействие электромагнитного излучения с веществом в квантовых приборах.
2. Ширина спектральной линии излучения квантовых приборов. Виды уширения спектральной линии.
3. Инверсная населенность энергетических уровней квантовых приборов. Основные характеристики активной среды. Системы и схемы накачки квантовых приборов.
4. Оптический резонатор (классификация и параметры). Модовая структура излучения резонатора.
5. Потери в оптических резонаторах. Пространственная структура излучения устойчивых оптических резонаторов.
6. Режимы работы квантовых приборов (свободная генерация, режим гигантского импульса).
7. Свойства излучения и характеристики квантовых приборов.
8. Твердотельные лазеры (типы и параметры).
9. Классификация квантовых приборов.
10. Аналоговые волоконно-оптические линии связи (принцип построения, достоинства и недостатки).
11. Цифровые волоконно-оптические линии связи (принцип построения, достоинства и недостатки).
12. Газовые лазеры (типы и параметры).
13. Структурная схема цифровой волоконно-оптические линии связи (назначение основных элементов, характеристики и классификация).
14. Типы оптического волокна и их параметры.
15. Распространение излучения в оптическом волокне.
16. Модовая структура излучения и потери в оптическом волокне.
17. Дисперсия в оптическом волокне.
18. Источники излучения волоконно-оптических линий связи (типы, принцип работы).
19. Приемники излучения волоконно-оптических линий связи (типы, принцип работы).
20. Классификация волоконно-оптических линий связи.

1. Процесс проектирования и базовые проектные процедуры.
2. Аспекты и уровни проектирования.
3. Стадии проектирования.
4. Методы алгебры логики в функциональном проектировании.
5. Блочно-иерархический подход в проектировании.
6. Обеспечения и подсистемы САПР.
7. Техническое и программное обеспечения САПР.
8. Лингвистическое и информационное обеспечение САПР.
9. Этапы проектирования.
10. Математическое обеспечение САПР.
11. Математические модели в САПР. Микро и макромодели.
12. Модели схемотехнического проектирования.
13. Моделирование функциональных схем аналоговых устройств.
14. Моделирование функциональных схем цифровых устройств.
15. Компонентные модели схемотехнического проектирования.
16. Топологические модели схемотехнического проектирования.
17. Методы решения систем дифференциальных уравнений.
18. Методы решения систем линейных алгебраических уравнений.
19. Модели электронных компонентов в схемотехническом проектировании.
20. Методы поиска экстремума.

1. Механизм и кинетика термического окисления кремния.
2. Теория диффузии. Законы Фика.
3. Методы контроля ориентации монокристалла. Индексы Миллера.
4. Ионно-плазменное и магнетронное распыление материалов.
5. Бескорпусная герметизация ИС.
6. Метод монтажа кристаллов в корпус эвтектикой.
7. Суть процесса фотолитографии. Фоторезисты, их виды и основные харак¬теристики.
8. Фотошаблоны, их характеристики и способы изготовления.
9. Методы изготовления пассивных элементов ГИС.
10. Методы присоединения выводов к контактным площадкам (один из них подробно).
11. Ионное легирование. Механизм внедрения примеси при ионном легировании полупроводников.
12. Назначение и методы получения плёнок SiO2 .
13. Эпитаксия. Факторы, влияющие на процесс эпитаксиального роста.
14. Характер распределения примеси при диффузии из источника неограниченной и ограниченной мощности. Расчёт глубины залегания¬¬ р n перехода.
15. Оптико-механический способ изготовления фотошаблонов для ИС.
16. Особенности процесса ионного легирования в планарной технологии ИМС, его преимущества и недостатки.
17. Скрайбирование - процесс разделения пластин на кристаллы.
18. Двустадийная диффузия примесей в кремний.
19. Методы изоляции в планарной технологии ИМС.
20. Суть процесса фотолитографии. Отличительные особенности процессов литографии.

1. Зонная модель твердых тел. Диаграмма энергетических зон полупроводников.
2. Свободные носители заряда в полупроводниках. Типы полупроводников.
3. Пробой р-n перехода.
4. Принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n переходом.
5. Структура и режимы работы биполярного транзистора.
6. Статическая модель биполярного транзистора (модель Эберса-Молла).
7. Структура и режимы работы биполярного транзистора.
8. Статические ВАХ МДП-транзистора и его малосигнальная эквивалентная схема.
9. Принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n переходом.
10. Структура интегрального биполярного транзистора n-p-n типа. Назначение скрытого слоя.
11. Принцип действия МДП-транзистора. Разновидности МДП-тразисторов.
12. Структура и принцип действия МДП-транзистора.
13. Структура интегрального n-p-n транзистора.
14. 4.Пассивные элементы полупроводниковых ИС.
15. Малосигнальная модель биполярного транзистора.
16. Образование p-n перехода. Резкий переход.
17. Движение носителей заряда в полупроводниках (дрейф, диффузия).
18. Структура интегрального биполярного n-p-n транзистора. Назначение скрытого слоя.
19. Принцип действия МДП-транзистора. Разновидности МДП-транзисторов.
20. Вольтамперная характеристика p-n перехода.